Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技术以极快的速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束的波前校正器，以及为此专门设计的部件，包括控制系统、相前传感器双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的一种掺制造可于制造超晶格物质高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻一番）所依据的素的驱动下，信息技术以极快的速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束的波前校正器，以及为此专门设计的部件，控制系统、相前传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的一掺杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每英寸的晶片数目每18个月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技术以极快的速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束的波前校正器，以及为此专门设计的部件，包括控制系统、相前传感器和双压电晶片等“反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的一种掺杂剂和制造于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻番）所依据的各因素的驱动下，信息技术以极快的速度，个接个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束的波前校正器，以及为此专门设计的部件，包括控制系统、相前传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技术以极快的速度，一接一地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫米以上激光束的波前校正，以及为此专门设计的部件，包括控制系统、相前和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光等中使），作为硅晶片的一种掺杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对半导体晶片的感应炉不。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技术以极快的速度，一个接一个地向前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 直径4毫米以上激光束的波前校正器，以及为此专门设计的部件，包括系统、相前传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的一种掺杂剂和造可造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技术极快的速度，一接一前发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4毫激光束的波前校正器，及为此专门设计的部件，包括控制系统、相前传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的一种掺杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技术以极快的速度，一个接一个地向。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于4米以上激光束的波校正器，以及为此专门设计的部件，包括控制系统、相传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的一种掺杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。

Note : La rubrique 1.B.4.a ne s'applique pas aux fours conçus pour le traitement des tranches à semi-conducteurs.

1.B.4.a.项对于加工半导体晶片的感应炉不加控制。

Stimulés par les facteurs qui sous-tendent la loi de Moore (le nombre de transistors par pouce carré double tous les 18 mois), les progrès réalisés dans le domaine des technologies de l'information se suivent à une allure vertigineuse.

在“穆尔法则”（每平方英寸的晶片数目每18个月翻一番）所依据的各种因素的驱动下，信息技术极快的速度，一个接一个发展。

II.A6.003 Systèmes de correction de front d'onde destinés à être utilisés avec un faisceau laser d'un diamètre supérieur à 4 mm et leurs composants spécialement conçus, y compris les systèmes de commande, détecteurs de front de phase et « miroirs déformables », y compris les miroirs bimorphes.

二.A6.003 于直径4上激光束的波校正器，及为此专门设计的部件，包括控制系统、相传感器和双压电晶片等“可变形反射镜”。

Il est utilisé dans le traitement des cristaux d'arséniure de gallium (employés dans les téléphones mobiles, les lasers, etc.), comme agent de dopage dans les plaquettes de silicium et pour la fabrication de l'arsine gazeux (H3As), qui sert à produire les matériaux des superréseaux et les circuits intégrés hautes performances.

它被于加工砷化镓晶体（在移动电话、激光器等中使），作为硅晶片的一种掺杂剂和制造可于制造超晶格物质和高性能集成电路的砷气体（H3As）。