Word sized memory access is allowed to unaligned memory addresses.Words are stored in the little-endian order.
（word, 4
元）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体址，是
低节
前的顺序储存记忆体中。
jì yì tǐ
- memory
- RAM
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料
具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的元件和积体电路的材料。
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- memory
- RAM
Word sized memory access is allowed to unaligned memory addresses.Words are stored in the little-endian order.
字组（word, 4位元组）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体位址，字组是以低位字节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的元件和积体电路的材料上。
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- memory
- RAM
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（word, 4元）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体址，是低节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的元件和积体电路的材料。
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- memory
- RAM
Word sized memory access is allowed to unaligned memory addresses.Words are stored in the little-endian order.
字组（word, 4位元组）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体位址，字组是以低位字节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的元件和积体电路的材料上。
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- memory
- RAM
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字（word, 4位元）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体位址，字
低位字节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预
用磁性记忆体的元件和积体电路的材料上。
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- RAM
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字组（word, 4位元组）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体位址，字组是以低位字节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁
的质，被预期能运用磁记忆体的元件和积体电路的材料上。
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- RAM
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字（word, 4位元）长度的记忆体存取允许不对齐记忆体位址，字低位字节前的顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预用磁性记忆体的元件和积体电路的材料上。
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- memory
- RAM
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字组（word, 4位
组）长度
记忆体存取允
齐记忆体位址，字组是以低位字节前顺序储存记忆体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁磁性性质，被预期能运用磁性记忆体件和积体电路材料上。
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- RAM
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字组（word, 4位元组）长度
体存取允许不对齐体位址，字组是以低位字节前顺序储存体中。
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓
料上具有室温铁磁性性质，被预期能运用磁性体元件和积体电路料上。
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