In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发
化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的元件和
体电路的材料上。
dàn huà jiā
gallium nitride
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gallium nitride
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓
料上具有室温铁磁性
性质，被预期能运用在磁性记忆
件和电路料上。
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gallium nitride
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
现在氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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gallium nitride
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的元件和
体电路的材料上。
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In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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gallium nitride
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有室温
的质，被预期能运用在记忆体的元件和体电路的材料上。
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In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有室
性的性质，被预期能运用在性记忆体的元件和体电路的材料上。
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gallium nitride
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓
上具有室温铁磁性性质，被预期能运用在磁性记
元件和电路上。
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In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现氮化镓材料上具有室温铁的质，被预期能运用记忆体的元件和体电路的材料上。
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