In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有
铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和
体电路的材料上。
néng yù qī de
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expectableIn this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有
磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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发现在氮化镓材料上具有室温铁磁
的
，
预期能运用在磁记忆体的元件和体电路的材料上。
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发现在氮化镓材料上具有室温铁磁
，被预期能运用在磁记忆体元件和体电路材料上。
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发现在氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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expectableIn this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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现在氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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发现
镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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发现在氮化镓
具有室温铁磁性的性质，被预期能运用在磁性
的元件和电路的。
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发现在氮化镓材料上
有温铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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