The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件
子注入能力高
300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽
和商用现货产品。
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The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽和商用现货产品。
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器件子注入能力高300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽和商用现货产品。
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件总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽和商用现货产品。
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器件的总离
注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒效应为82兆
特，同时有屏蔽和商用现货的产品。
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器件的总离注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒效应为82兆特，同时有屏蔽和商用现货的产品。
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器件的总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽和商用现货的产品。
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器件的总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效
82
电子伏特，同时有屏蔽和商用现货的产品。
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器件的总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏
，
有屏蔽和商用现货的产品。
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