The main structure have:Electromagnet and Heng galvanism source, numerical type Gauss account(the effect of Huo Er) and ammeter and volt account, have control dish of illuminate the system.
电磁铁和恒流电源、数字式
斯计 （霍尔效应）、安培计和伏特计、配有照明系统的控制盘。
fú tè xiào yīng
volta effect
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力
300
拉德（硅），
子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽型和商用现货型的产品。
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电
恒流电源、数字式高斯计 （霍尔效应）、安培计伏特计、配有照明系统的控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽型商用现货型的产品。
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电磁铁和恒流电源、数字式高斯计 （霍尔效应）、安培计和伏特计、配有照明系统的控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力高300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽型和商用现货型的产品。
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电恒流电源、数字式高斯计 （霍尔效应）、安培计伏特计、配有照明系统的控制盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件的总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽型商用现货型的产品。
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电磁铁和恒流电源、数字式高斯计 （霍尔效应）、安培计和伏特计、配有照明系统
盘。
The devices have total ionizing dose (TID) capability of up to 300 Krad(Si), single event effect (SEE) immunity to 82 MeV, and are available in screened and commercial off- the-shelf (COTS) versions.
器件总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有
型和商用现货型产品。
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电磁铁恒流电源、数字式高斯
（霍尔效应）、安
伏特、配有照
系统的控制盘。
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器件的总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽型商用现货型的产
。
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电磁铁和恒流电源、数字式高斯计 （霍尔效应）、安培计和伏特计、配有
系统的控制盘。
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器件的总离子注入能力高达300千拉德（硅），抗单粒子效应为82兆电子伏特，同时有屏蔽型和
货型的产品。
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电磁铁和恒流电源、数字
计 （霍尔效应）、安培计和伏特计、配有照明系统的控制盘。
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）、
计和伏特计、配有照系统的控制盘。
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