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GateOxid
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栅
硅,是MOS(场效应管)
栅电容
主要成分,
薄,这样只要有
小
电流就能形成
电压,从而构建导电通道。
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栅
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栅二氧
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MOS(场效应管)的栅电容的主要
分,
薄,这样只要有
小的电流就能
够的电压,从而构建导电通道。
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栅二氧化硅,是MOS(场
)的栅
容的主要成分,
薄,这样只要有
小的
能形成足够的
压,从而构建导
通道。
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栅二氧化硅,是MOS(场效应管)的栅电容的主要成分,
薄,这样只要有
小的电流就能形成足够的电
,
构建导电通道。
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栅
硅,是MOS(场效应管)
栅电容
主要成分,
薄,这样只要有
小
电流就能形成
电压,从而构建导电通道。
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二氧化硅,是MOS(场效应管)
容
主要成分,
薄,这样只要有
流就能形成足够
压,从而构建导
通道。
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栅二氧化硅,是MOS(场效应管)的栅电容的主要成分,
薄,这样只要有
小的电流就能形成足够的电压,从
导电通道。
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栅二氧化硅,是MOS(场效应管)的栅电容的主要
,
,
样只要有
小的电流就能形
足够的电压,从而构建导电通道。
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【微电】
栅氧化物,栅氧化层
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栅二氧化
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MOS(
效应管)的栅电容的主要
分,
薄,这样只要有
小的电流就
足够的电压,从而构建导电通道。
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【微电】
栅氧化物,栅氧化层
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